DESCRIPCION GENERAL:
 
Transistor de potencia de efecto de campo de nivel estándar con modo de mejora de canal N en una envoltura de plástico que utiliza tecnología de trinchera. El dispositivo presenta una resistencia en estado activo muy baja e incorpora diodos Zener integrados que ofrecen protección contra descargas electrostáticas (ESD) de hasta 2 kV. Está diseñado para su uso en aplicaciones de conmutación de resistencia en modo conmutado.